新能源汽車、智能電網等戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展迅猛。作為這些產業(yè)的“心臟”和“發(fā)動機”——用于能源產生、傳輸、使用的芯片更是市場追逐的寵兒。在南京市江寧區(qū)，依托中國電子科技集團公司第55研究所建設的寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室，利用新一代碳化硅、氮化鎵等材料，在不到一毫米厚的芯片上做文章，為奔跑的電子設計性價比更高的“高速公路”。

比起傳統(tǒng)以硅為原材料的電子器件，寬禁帶半導體電力電子器件被譽為帶動新能源革命的綠色能源器件，功率密度更大，效率更高。全球芯片市場數千億美元，但高端核心芯片的技術掌握在其他國家。2000年左右，我國開始寬禁帶半導體電力電子器件的研發(fā)工作。55所科技處韓春林說，這幾年，55所投入數億元全力打造這個國家實驗室，就是為了在下一個10年占據電子元器件的技術高點。實驗室主任柏松就是當時被55所從美國“挖”回來的專業(yè)人才。

進入實驗室大樓之前，記者被要求“全副武裝”地穿上工作服、帽子、鞋套和口罩。“你這還只是在走廊上參觀，如果進入實驗室內部，全身上下一點都不能露出來。任何細小的灰塵都會影響芯片制造的精準度。在這里，一立方米的空間里，1/30頭發(fā)絲粗細的顆粒物不超過10個。”柏松帶著記者參觀時介紹，僅這數千平方米的實驗室，里面的設備就價值10多億元。比如光刻機，專門負責把專家們設計好的高速公路建造在芯片表面。而一臺光刻機的價格就高達數千萬元。