碳化硅陶瓷的燒結工藝
碳化硅陶瓷以其優(yōu)異的抗熱震,耐高溫,耐磨損,耐熱沖擊,高熱導,高硬度,抗氧化和耐化學腐蝕以及熱穩(wěn)定性好等特性,已經在石油,化學,汽車,機械和宇航等工業(yè)領域中獲得大量應用。例如,碳化硅可以用作各類軸承、滾珠、噴嘴、密封件、渦輪增壓器轉子、燃氣渦輪機葉片、反射屏和火箭燃燒室內襯等。
SIC是強共價鍵結合的化合物。因而,燒結時的擴散速率非常低。即使在2100℃的高溫下,C和SI的自擴散系數(shù)也僅為所以, 碳化硅很難燒結,必須借助添加劑或外部壓力或滲硅反應才能實現(xiàn)致密化。目前,制備高密度碳化硅陶瓷的方法主要有無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結等。
通過無壓燒結工藝可以制備出復雜形狀和大尺寸的碳化硅部件。因此, 被認為是SIC陶瓷更有前途的燒結方法。采用熱壓燒結工藝只能制備簡單形狀的SIC部件,而且一次熱壓燒結過程所制備的產品數(shù)量很小,因而不利于商業(yè)化生產。
熱等靜壓工藝可以獲得復雜形狀的SIC制品,但必須對素壞進行包封,所以, 也很難實現(xiàn)工業(yè)化生產。
反應燒結工藝可以制備出復雜形狀的SIC部件,而且其燒結溫度較低。但是,反應燒結SIC陶瓷的高溫性能較差。
一般來說,無壓燒結SIC陶瓷的綜合性能優(yōu)于反應燒結的SIC, 但是遜色于熱壓燒結和熱等靜壓燒結的SIC。
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此文關鍵字:碳化硅陶瓷
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